三星64层256GBV-NAND闪存已进入量产-半岛·体育(BOB)官方入口

2024-11-12点击量：590

本文摘要：三星电子15日宣告，近期64层256GBV-NAND存储器已转入量产，与此同时，三星还将拓展包括服务器、PC与行动装置的储存解决方案。

三星电子15日宣告，近期64层256GBV-NAND存储器已转入量产，与此同时，三星还将拓展包括服务器、PC与行动装置的储存解决方案。64层V-NAND存储器用称作第四代V-NAND芯片，南韩ITtimes报导认为，三星为巩固领先优势，想于年底把第四代芯片占到每月生产比重拉高至五成以上。只不过，三星今年1月已先为某关键客户，打造出第一颗含有64层V-NAND芯片的固态硬盘（SSD），自此之后，三星持续朝行动与消费型储存市场开发新应用于，力求与IT产业同步化。三星64层V-NAND存储器传输速度约每秒1Gb，市面上同类型内存产品中无人能出其右。

若与48层产品比起，64层存储器的省电效能大约高达三成，可靠性则减少大约两城。三星目前是NAND龙头，2016年市占率为36%，在第四代NAND芯片量产后，三星有可能相继调降第二、三代芯片价格，除可更进一步不断扩大市占到外，还将对美光、东芝、WesternDigital等同业导致降价压力。

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